Technical support技術(shù)支持
1. 如何選擇晶體的負(fù)載電容 CL？
1) IC 推薦的晶體負(fù)載電容CL
2) 經(jīng)驗(yàn)值計(jì)算
CL≈C1*C2/(C1+C2)+Cs
(HC-49S系列：Cs=6pF；SMD系列：Cs=3pF)
C1，C2：晶體兩端的對地電容
3) 做匹配實(shí)驗(yàn)
使用不同負(fù)載電容的晶體，測試電路的輸出頻率，找到與電路匹配的負(fù)載電容CL
2. 調(diào)整頻差
規(guī)定條件下，某溫度范圍內(nèi)的工作頻率相對標(biāo)稱頻率的最大偏離值
3. 溫度頻差
在工作溫度范圍內(nèi)的工作頻率相對標(biāo)稱頻率的最大偏離值
石英晶體諧振器產(chǎn)生的頻率雖然很穩(wěn)定，但它受到溫度的影響。決定石英晶體諧振器頻率溫度特性的主要因素是石英晶片的切割方位，一旦石英晶片的切割方位確定后，它的溫度特性曲線形狀也就基本確定。頻率溫度特性通常用下式表示：
F=F0[1+a0(T-T0)+b0(T-T0)2+c0(T-T0)3]
T------- (任意溫度)
T0----- (參考溫度)
F------- (T時(shí)的頻率)
F0 ------ (T0時(shí)的頻率)
a0、b0、c0------參考溫度T0時(shí)的一、二、三級頻率溫度系數(shù)
AT切的溫度特性圖
移動通訊領(lǐng)域，受限于目前AT切晶體的溫度特性，可以通過溫度補(bǔ)償來達(dá)到精度要求。
4. Ts 負(fù)載的牽引量
Ts值是對晶體對負(fù)載電容敏感程度的一種具體描述，它的定義是：在特定負(fù)載條件下，1pF負(fù)載電容變化時(shí)，晶體的頻率變化量，單位用ppm/pF。
在一般的頻率信號電路中，則要求Ts越小越好，因?yàn)橹挥羞@樣才可能使振蕩頻率受外電路或者環(huán)境的影響減小到最低，以保證電路中振蕩頻率的穩(wěn)定性。
5. DLD 阻抗對激勵(lì)電平的依賴性
DLD表示激勵(lì)電平變化時(shí)晶體諧振阻抗變化量，也是晶體阻抗對激勵(lì)電平的依賴性，晶體表面有質(zhì)量的東西造成DLD不良。
6. SPDB 寄生
由于晶片厚度不均勻，會產(chǎn)生寄生，對高頻影響尤為明顯。
7. 電路的負(fù)阻特性
根據(jù)振蕩線路的負(fù)阻值可確認(rèn)線路維持正常工作時(shí)晶體所容許的最大阻抗。
負(fù)性阻抗測量方式如下：
⑴ 串聯(lián)一電阻（R）至Crystal之端點(diǎn)。調(diào)整R之值，使Crystal由起振至停止振蕩。
⑵ 當(dāng)回路由起振至停止振蕩時(shí)測量R的值，得到負(fù)性阻抗值∣-R∣=R+Rr
穩(wěn)定的振蕩回路，其負(fù)性阻抗值（-R）需至少為石英晶體諧振器阻抗的5倍以上，
即：∣-R∣>5Rr，方能形成穩(wěn)定振蕩回路。
建議：基頻振蕩電路的∣-R∣值應(yīng)不小于晶體電阻規(guī)格的10倍，
泛音振蕩電路的∣-R∣值應(yīng)不小于晶體電阻規(guī)格的5倍。
一般情況下，減小晶體兩端的接地電容 C1 C2，可以提高負(fù)阻值。
